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电子元器件详细资料 » IC[33226] » SI3424BDV-T1-GE3
型号:SI3424BDV-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)描述:MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C28 毫欧 @ 7A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs19.6nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds735pF @ 15V
功率_最大2.98W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)

供应商

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